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- 02-14
- 2023
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碳化硅MOSFET
碳化硅MOS管以其高压、高频、高温、高速的优良特性，能够大幅提升各类电力电子设备的能量密度，降低成本造价，增强可靠性和适用性，提高电能转换效率，降低损耗。 SiC具有优异的材料属性，导通电阻阻值增加量极...
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- 02-14
- 2023
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SiC碳化硅肖特基二极管
肖特基二极管(SBD)具有较小的总电容电荷(Qc)，可降低开关损耗，同时实现高速开关操作。因此，它们广泛用于电源的PFC电路。此外，与trr随温度升高的硅基快速恢复二极管不同，碳化硅器件保持恒定特性，从而获得...
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- 02-14
- 2023
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碳化硅 (SiC) 功率器件
与硅相比，碳化硅 (SiC) 器件已成为下一代低损耗半导体最可行的候选者，因为它具有低导通电阻和优越的高温、高频和高压性能。
