碳化硅MOSFET

       碳化硅MOS管以其高压、高频、高温、高速的优良特性，能够大幅提升各类电力电子设备的能量密度，降低成本造价，增强可靠性和适用性，提高电能转换效率，降低损耗。 SiC具有优异的材料属性，导通电阻阻值增加量极小，能提供比Si器件更小的封装及更节能的效果，不会像Si器件的导通电阻随着温度的升高而上升2倍以上，因此其可在更高温的环境中高效工作。

        SiC MOSFET具有近乎瞬时开关的高频开关能力，能够打造适用于使用高压类的开关设 备，使技术人员能够得到更高质量的测试结果。在智能制造业领域，通过提供陡升时间而提升了生产力，从而提高了脉冲发生器的效率。为新能源充电桩、DC-DC转换器和服务器电源、光伏逆变器、变速电机驱动器等提供业界优秀的系统效率和性能。