碳化硅 (SiC) 功率器件

发布日期:2023-02-14 点击次数:311

与硅相比，碳化硅 (SiC) 器件已成为下一代低损耗半导体最可行的候选者，因为它具有低导通电阻和优越的高温、高频和高压性能。SiC 还允许设计人员使用更少的组件，进一步降低设计复杂性。SiC 器件的低导通电阻有助于显着降低能耗，使用户能够设计减少 CO 2排放的环保产品和系统。

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