碳化硅 (SiC）二极管

【碳化硅 (SiC）功率器件】▶【碳化硅 (SiC）二极管】采用全新技术，提供比硅材质更胜一筹的开关性能和可靠性。碳化硅二极管产品特性：•零反向恢复电流•电阻正温度系数特性•器件性能能受温度影响小•超高开关速度•超低开关损耗•更小的散热器需求。碳化硅（SiC）二极管的使用大大提高了光伏逆变器、电机驱动、不间断电源和电动车电路的效率和稳定性▶电压涵盖：650VDC、900VDC、1200VDC、1700VDC▶贴片型封装：DFN5×6、DFN8×8、TO-252-2L、TO-263-2L；插件型封装：TO-220-2、TO-247-2、TO-247-3

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碳化硅 (SiC) MOSFET

【碳化硅 (SiC）功率器件】▶【碳化硅 (SiC）MOSFET】高速且坚固，并具备效率高、尺寸小、成本低的系统优势。碳化硅MOSFET产品特性：•低电容值，可支持高开关速度•更高击穿电压和更低的导通电阻•更高的系统效率•更小的散热器需求•增加应用系统开关频率。碳化硅 (SiC）MOSFET为新能源充电桩、DC-DC转换器和服务器电源、光伏逆变器、变速电机驱动器等提供业界优秀的系统效率和性能。▶电压涵盖：650VDC、1200VDC、1700VDC▶贴片型封装：TO-263-7；插件型封装：TO-247-3、TO-247-4

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